9月3日消息，毫无疑问，中国一直在努力推进国产化HBM内存，毕竟这对于AI计算是至关重要的。
根据DigiTimes的最新报道，长江存储正积极准备进入DRAM内存领域，并寻求与长鑫存储合作，共同攻克HBM内存技术难关。
报道称，双方堪称天作之合，因为长鑫存储有扎实的DRAM内存技术基础，长江存储则有领先的Xtacing晶栈工艺，理论上也可以用于内存的键合与封装，尤其是随着HBM的不断迭代，混合封装是提升带宽、改进散热的关键所在。
有关报告显示，长鑫存储在HBM2上取得了重大突破，已经给客户送样，预计明年年中可小规模量产。
同时，长鑫存储出还在积极推进HBM3，预计最快2026-2027年即可搞定，甚至能同步做到HBM3E。
还有报道称，中国厂商正在HBM技术上联合起来，比如长江存储、武汉新芯开发封装技术，通富微电子则在组装环节贡献力量。
相比SK海力士、三星、美光三大原厂，中国HBM技术虽然差距依旧很大，但追赶的速度非常快。
本文转载于快科技，文中观点仅代表作者个人看法，本站只做信息存储
本文来自于网络或用户投稿，本站仅供信息存储，阅读前请先查看【免责声明】,若本文侵犯了原著者的合法权益，可联系我们进行处理。本文链接：https://www.trustany.com/intel/9295.html
固态硬盘性能排行榜前十名（固态硬盘耐用性排行）
酷睿 i7-14700K 与锐龙 99900X 谁能称霸性能战场
